2023年9月6-8日，第24屆CIOE中國光博會在深圳國際會展中心（寶安新館）舉行，其中信息通信展集中展示了光通信新產品、新技術、新趨勢和新應用。上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）攜豐富的系列產品，首次亮相此次展會（展位號：12號館12C61），與行業同仁進行友好交流和業務合作洽談。
本次展會上，新微半導體通過琳瑯滿目的產品向光電行業客戶、專業觀眾展示了公司的先進制造和生產能力。新微半導體擁有一套完整的光電先進工藝制程與特色工藝解決方案。以高可靠性工藝制程為廣大客戶制造生產高速高靈敏度的光電探測器（包括PD/MPD和APD）、各波段的邊發射和垂直腔面反射激光器等產品（包括FP、DFB和VCSEL）。產品可廣泛應用于醫療、光通信、無人駕駛、數據中心和移動終端等市場領域。
01 先進的激光器工藝代工平臺
新微半導體已建立完備的DFB（分布式反饋激光器）純晶圓制造平臺。通過該工藝平臺代工的10G DFB激光器器件直流和高頻性能都達行業頂尖標準，代工產品可服務于光纖通信和數據中心等終端應用。
新微半導體的垂直腔面發射激光器（VCSEL）純晶圓制造平臺，通過采用平面工藝，使光子與電子器件實現集成，產品可應用于光纖通信和人臉識別等終端領域。
新微半導體1550nm FP特色工藝平臺擁有大功率激光器高應力量子阱外延工藝，同時開發了高自動化的百納秒級短脈沖芯片測試平臺，可以為客戶提供大功率脈沖芯片測試篩選能力。
02 先進的探測器工藝代工平臺
隨著信息技術的快速發展，人們對光纖通信的速度和容量，以及激光雷達的安全的要求越來越高。光電探測器是現代光纖通信與傳感系統以及激光雷達的關鍵元件，利用光電或光熱等效應將光信號轉化為電信號。新微半導體已完成高速光電探測器的全工藝開發，包括步進式曝光、干/濕法刻蝕、電子束蒸發、減薄、劃裂等工藝技術，3吋PD晶圓級測試良率達95%以上。同時新微半導體還建立了PD/APD高低溫帶寬、靈敏度晶圓級測試以及完整產品可靠性測試能力。代工產品可應用于光纖通信、近紅外成像、激光雷達等市場。
03 多種材料體系光電外延生長平臺
光電外延晶圓制造是決定III-V族化合物半導體光電芯片性能與可靠性的關鍵技術之一。新微半導體擁有光電外延特色工藝平臺，面向磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs）兩大材料系，具備多次外延生長能力以及多次鋅擴散外延制程，采用MOCVD（ Metal Organic Chemical Vapor Deposition）金屬有機物化學氣相沉積法，根據客戶的外延結構，匹配對應的外延生長技術，提供InP和GaAs光電外延晶圓生長解決方案。
為給客戶提供更優質的產品和服務，新微半導體不僅傾注精力打造產品核心競爭力，而且在晶圓良率提升、成本控制和品質保障和信息安全等四個關鍵方面傾注大量精力，提升客戶服務能力，提供高性價比晶圓制造解決方案。與此同時，新微半導體還具備PFA與EFATEM、EMMI等失效分析能力，以及線寬、RIN等高端測試能力，使其產品擁有可靠的品質和卓越的性能。新微半導體用技術賦能光電化合物半導體，為車載、數據通信、消費電子等終端應用領域提供更多無限可能，為客戶創造更多的價值。
歡迎業界朋友繼續來展臺現場交流合作。
