2023年8月29日，致力于成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體芯片制造服務(wù)企業(yè)——上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“新微半導(dǎo)體”），攜豐富的硅基氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品平臺(tái)精彩亮相亞洲電力電子行業(yè)會(huì)議——PCIM Asia 2023。
首次參加展會(huì)的新微半導(dǎo)體以“煥發(fā)綠色環(huán)保‘芯’活力”為主題，展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)系列展品，并重點(diǎn)展示了面向不同終端應(yīng)用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進(jìn)的技術(shù)解決方案。
展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，業(yè)內(nèi)眾多專業(yè)客戶前來展臺(tái)進(jìn)行參觀交流和項(xiàng)目洽談。通過豐富的展品和專業(yè)的講解，新微半導(dǎo)體參展團(tuán)隊(duì)向客戶介紹了公司產(chǎn)品內(nèi)容和先進(jìn)的工藝解決方案，并與現(xiàn)場(chǎng)客戶一起探討硅基氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等終端應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)及解決方案。
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高電子遷移率和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使得氮化鎵功率器件呈現(xiàn)出柵極電荷和輸出電容更小，無反向恢復(fù)和單位面積的導(dǎo)通電阻更小等特性。由此可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的高效率、高頻率和高功率密度，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于5G基站、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、新能源車和快充等終端應(yīng)用領(lǐng)域。
除了已發(fā)布的40V低壓增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)，新微半導(dǎo)體正在推出100V、150V和650V中、高壓功率器件量產(chǎn)工藝平臺(tái)，通過全系列（40V-650V）的高性能氮化鎵功率芯片代工平臺(tái)，新微半導(dǎo)體可為客戶提供低本高效的產(chǎn)品與卓越的解決方案。憑借高效、高頻和高可靠性等卓越特征，助力廣大客戶在消電子、工業(yè)和通信等多個(gè)領(lǐng)域大放異彩，全面降低系統(tǒng)損耗，為綠色出行賦能，為更多應(yīng)用場(chǎng)景提升效率，與行業(yè)上下游一起共建氮化鎵生態(tài)鏈，一起為未來科技充電！
