2023年9月20日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）宣布，基于砷化鎵（GaAs）襯底的集成無源器件（Integrated Passive Device, IPD）IP3PI工藝平臺開發完成。憑借高Q值、高集成度和高耐壓等優異的特征，滿足當前市場對射頻前端功能不斷優化的要求。該工藝平臺可以提供高可靠性、更優性能、更小體積以及更低成本的無源代工產品，助力客戶在無線通信、微波和毫米波通信等領域獲得更好的應用效果。
新微半導體GaAs IPD 工藝平臺典型無源元器件示例
IP3PI工藝平臺是一種三層金屬互聯結構的集成無源器件平臺，使用低介電材料作為電容和電感邊緣的填充層，在增加電容和電感耐壓的同時，還不會降低電容密度。該平臺可以為客戶提供28V（IP3PI13）和50V（IP3PI12）兩種工作電壓選擇，也就是說，客戶可以根據實際需求靈活地選擇190 pF/mm2 或150 pF/mm2的電容設計，從而滿足不同需求。此外，該平臺還可以提供50Ω標準方塊電阻和0.5Ω小方塊電阻以及電感等無源器件來實現緊湊的設計。
新微半導體GaAs IPD工藝平臺典型關鍵參數
當今的射頻器件領域，由于產品集成度不斷提升以及工作頻段的不斷提高，對系統級封裝技術也提出了更高的需求，功能電路需要以系統級封裝的形式將不同的電路集成到一起，新微半導體高Q無源集成工藝平臺在6吋砷化鎵襯底上，形成不同的器件，從而實現各種無源元件的高密度集成，大大節省了電路面積。該工藝平臺不僅達到了50V工作電壓下的工作壽命>1.0E+06小時的行業要求，同時也通過了更為嚴苛的環境應力（TC、HAST）測試，使得該工藝平臺對終端產品的適用性得到了極大的拓展。相比傳統的無源器件工藝，IP3PI工藝平臺可為射頻系統級封裝(SiP)提供高性價比的方案。
新微半導體GaAs IPD工藝平臺橫截面圖
得益于更高應用頻率的需求和微波毫米波技術的推動，射頻前端產品市場持續穩定增長。新微半導體將充分發揮公司的先進制造和技術資源優勢，為客戶提供更卓越、更豐富的射頻代工解決方案和服務，并助力客戶開辟化合物半導體更廣闊的應用前景。
