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光電解決方案

在光電領域，新微半導體提供基于3/4吋磷化銦（InP）與4/6吋砷化鎵（GaAs）材料的全系列光電工藝解決方案，為廣大客戶提供覆蓋各波段的邊發射激光器（包括FP、DFB和EML等）、垂直腔面發射激光器（VCSEL）和高靈敏度的光電探測器（包括PD、MPD和APD等）工藝平臺。產品可廣泛應用于光通訊、數據中心、人臉識別、汽車雷達、醫療與消費電子等眾多終端應用領域。

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光電探測器(PD)工藝平臺

新微半導體提供基于3/4吋磷化銦（InP）和4吋砷化鎵（GaAs）材料體系的PD藝平臺，包含可實現光敏面直徑至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD兩大工藝平臺。憑借高響應度、高靈敏度、高速度和低暗電流等優異性能，為客戶提供低本高效的解決方案。產品可廣泛應用于通信、工業、醫療和消費電子等領域。

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邊發射激光器（FP/DFB）工藝平臺

新微半導體提供基于3/4吋磷化銦（InP）材料體系的、中心波長覆蓋600nm-2100nm的FP/DFB工藝平臺，包括最大功率可達50W的FP工藝平臺和2.5G/10G/25G的DFB工藝平臺，擁有高功率、寬調諧范圍和窄線寬等卓越的性能特征，產品可廣泛應用于氣體探測、醫療美容和精密測量等領域。

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垂直腔面發射激光器（VCSEL）工藝平臺

新微半導體提供4/6吋砷化鎵（GaAs）材料體系的VCSEL工藝平臺，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陳列VCSEL兩大類型。光通信VCSEL工藝平臺具有高效光耦合、高速調制和低功耗等諸多優勢；陣列VCSEL工藝平臺擁有低成本、高功率和高良率等卓越優勢。產品可廣泛應用于數據中心、人臉識別和激光雷達等諸多應用領域。

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光電外延工藝平臺

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新微半導體提供基于3/4吋磷化銦（InP）晶圓與4/6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的全系列光電工藝從外延到制造的代工解決方案。工藝技術范圍涵蓋鋅擴散、對接生長、多次外延、電子束光刻、ECR處理光學鍍膜、離子注入+氧化孔徑和BCB工藝等關鍵工藝。公司可以為廣大客戶提供高速度、高靈敏度的光電探測器（包括PD、MPD和APD等）、覆蓋各波段的邊發射器（包括FP、DFB和EML等）以及垂直腔面發射激光器（VCSEL）等眾多工藝平臺。產品可廣泛應用于光通信、數據中心、消費電子、汽車雷達與醫療等眾多終端應用領域。